??IRF6811STRPBF現貨參數應用及PDF資料下載
作者：海飛樂技術 時間：2020-12-30 18:15
IRF6811STRPBF應用
IRF6811STRPBF將最新的HEXFET®功率MOSFET硅技術與先進DirectFETTM封裝相結合，具有極低的導通電阻。封裝外形為Micro8，尺寸僅為0.7mm。DirectFET封裝與電力應用中使用的現有布局結構兼容。當應用于印刷電路板組裝設備和氣相，紅外或對流焊接技術，是遵循注意事項AN-1035中的有關制造方法和工藝。
IRF6811STRPbF具有低柵極電阻、低電荷以及超低封裝電感，顯著降低了開關損耗。提高系統可靠性，使該器件成為高性能隔離DC-DC變換器的理想選擇。為最新一代處理器提供更高頻率的電源。
IRF6811STRPBF特性
符合RoHS
超?。?lt;0.7 mm）
雙面冷卻兼容
超低封裝電感
高頻開關優化
CPU核心DC-DC轉換器的理想選擇
控制FET應用的優化
兼容現有的表面貼裝技術
100% RG測試
與DirectFET兼容的封裝外形
IRF6811STRPBF基本參數
制造商:Infineon
產品種類:MOSFET
安裝風格:SMD/SMT
封裝/箱體:DirectFET-SQ
晶體管極性:N-Channel
通道數量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:25V
Id-連續漏極電流:74 A
Rds On-漏源導通電阻:5.4 mOhms
Vgs -柵極-源極電壓:±16 V
Qg-柵極電荷:11 nC
Pd-功率耗散:32 W
尺寸:0.7 mm×4.85 mm×3.95 mm
單位重量:215.558 mg
IRF6811STRPBF其他參數
IRF6811STRPBF特性曲線圖
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